V roce 2013 by se na trhu mohly začít objevovat první produkty
využívající memristory. Dodávat je chtějí HP a Hynix Semiconductor.
Výsledkem budou mj. nové typy pamětí MRAM a RRAM.
Memristor je pokládán za čtvrtý základní prvek elektrických obvodů –
spolu s odporem, kapacitou a induktorem. „Základní“ v tomto případě
znamená, že vlastnosti memristoru nelze simulovat kombinací dalších
prvků. V teorii byla existence memristoru předpovězena už dávno,
poprvé byl v laboratořích HP ale sestrojen až v roce 2008. Základní
vlastností memristoru je, že uchovává informace (svou historii) i
poté, co se přeruší napájení.
Z laboratoří na trh nemusí být tak daleko. Už příští rok by
memristorové technologie mohly začít nahrazovat disky Flash a SSD,
posléze dojde i na paměti DRAM a SRAM.
Ve všech těchto případech by
memristory údajně mohly nabídnout oproti stávajícím technologiím
řádově nižší náklady (vztaženo na bit apod.). Samozřejmě – jedna věc
jsou samotné provozní náklady, druhou věcí nutnost vstupní investice
do zcela nových výrobních linek.
Pokud by memristory splnily vše, co se od nich očekává, mohl by Moorův
zákon údajně platit dalších 20 let.
The Register je lehce ironický: I když pomineme samotnou technologii,
opravdu nebude mít nyní HP jiné priority, než řešit zavádění
memristorů? Stan Williams z HP Labs Fellow ovšem tvrdí, že na
memristorech de facto stojí i chystané technologie dalších firem –
phase-change memory (PCM) a metal-oxide resistive RAM od IBM a Crosus
Technology, byť se zde třeba název memristor nepoužívá.
Zdroj: The Register