Společný vědecký tým univerzit v Manchestru a Cambridge vyvinul technologii, jež do budoucna umožní optimalizovat grafen pro využití v optické komunikaci.
Skvělá mobilita elektronů přímo předurčuje tento nový materiál k využití pro fotodetektory, které v optické komunikaci transformují optický signál na elektrický, až do teď ale bojoval grafen s nízkou absorbční schopností pohlcování světla.
Univerzitní vědci nyní zlepšili efektivnost fotoelektrického efektu v grafenu až dvacetinásobně, podařilo se to díky pokrytí povrchu grafenu nánosem kovových nanostruktur v dosahu elektrod na povrchu materiálu.
Grafén je momentálně nejperspektivnějším materiálem elektrotechnickým budoucnosti, loni za jeho objevení byla dokonce udělena Nobelova cena za fyziku. Materiál tvoří jedna vrstva uhlíkových atomů z grafitu, které jsou vázány v pravidelné hexagonální mřížce (jedna vrstva má 0,77 miligramu na jeden čtvereční metr).
Mezi jeho vlastnosti patří skvělá vodivost v přítomnosti elektrického pole (větší, než v případě mědi) a naopak 0 vodivost v základním stavu. Má také velmi vysokou vodivost elektronů a jeho tepelná vodivost je desetkrát lepší, než vodivost mědi, lze jej také bez poškození ohýbat. Pro komerční využití má (aspoň teoreticky) ještě jednu nedocenitelnou výhodu, jde ve srovnání s dnes využívanými materiály o mimořádně laciný materiál.